OD.COM平台·(中国区)体育官方网站-长鑫存储拟2027年量产12层HBM3E 与全球存储巨头技术差距或缩短至2至3年

【CNMO科技动静】5月28日，据半导体行业相干信息显示，海内今朝正以最年夜DRAM厂商长鑫存储为焦点，加速高带宽内存（HBM）的商用化进程，相干财产能力晋升动作连续推进。

SK海力士无锡工场

长鑫存储的HBM研发进度方面，今朝该公司已经推出HBM3样件，向华为等海内AI芯片厂商供货，现阶段正处在量产前的验证环节，同时计划来岁实现12层HBM3E的量产。假如该规划落地，长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光三家头部存储厂商的技能差距将缩短至2到3年。此外，海内NAND厂商长江存储也有可能插手下一代HBM的开发，海内规划整合长鑫存储的DRAM制造能力与长江存储的3D封装技能，推进更高层数的HBM研发，今朝两边针对于20层级HBM所需的混淆键合技能的互助已经于推进中。

三星HBM4

CNMO科技留意到，市场调研机构Counterpoint数据显示，2026年第一季度全世界DRAM市场中，三星电子、SK海力士、美光别离以38%、22%、22%的份额盘踞前三，长鑫存储的DRAM收入同比上涨超700%，以8%的份额位列第四，较上年同期3%的份额增加超两倍。

行业相干人士阐发称，虽然海内HBM研发进展较快，但HBM的焦点竞争力触及硅通孔技能、重叠封装、发烧节制、量产良率不变和客户认证经验等多个维度，今朝海内厂商与三年夜头部存储厂商的现实差距仍旧较年夜。不外依托海内政策撑持以和本土AI财产的内需上风，满意可用尺度的HBM产物有望于海内AI生态中快速普和，对于韩国存储厂商而言属在需要中持久存眷的行业趋向。

今朝三星电子、SK海力士均于海内设有出产基地，三星西安工场负担其全世界约40%的NAND产能，SK海力士也于无锡、年夜连设有DRAM及NAND出产基地。行业人士指出，当前海内市场仍是头部存储厂商主要的出产及需求市场，相干厂商需要增强焦点工艺、良率和封装相干的技能治理。

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